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LST是檢測半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具，通過CCD相機，對入射光在樣品邊沿的散射進行掃描，獲得體微缺陷分布信息。

LEIModel1605，是非接觸遷移率測試系統(tǒng)，可對各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進行測試。無需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。

LEI88 是針對科研類客戶開發(fā)的產(chǎn)品，具備非接觸快速測試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。

非接觸Hal和方塊電陽測試系統(tǒng)，可對GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結(jié)構(gòu)進行測試。

SRP 測試系統(tǒng)，采用擴展電阻率技術(shù)(SRP)，對載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測試。

準穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光可以將QSS準穩(wěn)態(tài)少子壽命測試和PL光致發(fā)光技術(shù)相結(jié)合，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息。

光致發(fā)光主要對材料能帶結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)濃度和缺陷，組分機理以及材料質(zhì)量進行檢測。WT-2000PL專門針對PL應(yīng)用開發(fā)，具有非接觸，快速，可變溫，光斑等特點。

Semilab PV-2000A是業(yè)界功能最（zui）先進的，用于晶硅太陽能電池片生產(chǎn)及光伏工藝研發(fā)的非接觸電學(xué)表征系統(tǒng),以滿足硅片到成品電池片不同工藝控制的測試需求。

LEI Model2017B，通過汞探針接觸方法，對各類半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進行測試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。

汞CV測試系統(tǒng)，用于對外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測試;MCV-530L可測最大200mm的樣品。

CV-1500，用于測試界面和介電層的科研平臺，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù)，可以進行非接觸C-V/I-V測試。

深能級瞬態(tài)譜儀(DLTS)是檢測半導(dǎo)體材料和器件缺陷和雜質(zhì)的最好技術(shù)手段，它可以測定各種深能級相關(guān)參數(shù)，如深能級，俘獲界面，濃度分布等。